പ്രസ്-പാക്ക് IGBT
പ്രസ്-പാക്ക് IGBT (IEGT)
| തരം | Vഡി.ആർ.എം V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS എ / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | Tവി.ജെ.എം ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
കുറിപ്പ്:D- കൂടെ ഡിഅയോഡ് ഭാഗം, എ-ഡയോഡ് ഭാഗം ഇല്ലാതെ
പരമ്പരാഗതമായി, ഫ്ലെക്സിബിൾ ഡിസി ട്രാൻസ്മിഷൻ സിസ്റ്റത്തിന്റെ സ്വിച്ച് ഗിയറിൽ സോൾഡർ കോൺടാക്റ്റ് IGBT മൊഡ്യൂളുകൾ പ്രയോഗിച്ചു.മൊഡ്യൂൾ പാക്കേജ് സിംഗിൾ സൈഡ് ഹീറ്റ് ഡിസ്സിപേഷൻ ആണ്.ഉപകരണത്തിന്റെ പവർ കപ്പാസിറ്റി പരിമിതമാണ്, സീരീസിൽ ബന്ധിപ്പിക്കാൻ അനുയോജ്യമല്ല, ഉപ്പ് വായുവിൽ മോശം ആയുസ്സ്, മോശം വൈബ്രേഷൻ ആന്റി-ഷോക്ക് അല്ലെങ്കിൽ തെർമൽ ക്ഷീണം.
പുതിയ തരം പ്രസ്-കോൺടാക്റ്റ് ഹൈ-പവർ പ്രസ്-പാക്ക് IGBT ഉപകരണം സോളിഡിംഗ് പ്രക്രിയയിലെ ഒഴിവുകൾ, സോളിഡിംഗ് മെറ്റീരിയലിന്റെ താപ ക്ഷീണം, ഒറ്റ-വശങ്ങളുള്ള താപ വിസർജ്ജനത്തിന്റെ കുറഞ്ഞ കാര്യക്ഷമത എന്നിവ പൂർണ്ണമായും പരിഹരിക്കുക മാത്രമല്ല, വിവിധ ഘടകങ്ങൾ തമ്മിലുള്ള താപ പ്രതിരോധം ഇല്ലാതാക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. വലിപ്പവും ഭാരവും കുറയ്ക്കുക.കൂടാതെ IGBT ഉപകരണത്തിന്റെ പ്രവർത്തനക്ഷമതയും വിശ്വാസ്യതയും ഗണ്യമായി മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു.ഫ്ലെക്സിബിൾ ഡിസി ട്രാൻസ്മിഷൻ സിസ്റ്റത്തിന്റെ ഉയർന്ന പവർ, ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ്, ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യത ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുന്നതിന് ഇത് വളരെ അനുയോജ്യമാണ്.
പ്രസ്-പാക്ക് IGBT വഴി സോൾഡർ കോൺടാക്റ്റ് തരം മാറ്റിസ്ഥാപിക്കുന്നത് അത്യന്താപേക്ഷിതമാണ്.
2010 മുതൽ, Runau ഇലക്ട്രോണിക്സ് പുതിയ തരം പ്രസ്-പാക്ക് IGBT ഉപകരണം വികസിപ്പിക്കാനും 2013-ൽ ഉൽപ്പാദനം വിജയിപ്പിക്കാനും വിപുലീകരിച്ചു.
ഇപ്പോൾ നമുക്ക് 600A മുതൽ 3000A വരെയുള്ള ഐസി ശ്രേണിയുടെ സീരീസ് പ്രസ്-പാക്ക് IGBTയും 1700V മുതൽ 6500V വരെയുള്ള VCES ശ്രേണിയും നിർമ്മിക്കാനും നൽകാനും കഴിയും.ചൈനയിൽ നിർമ്മിച്ച പ്രസ്-പാക്ക് IGBT യുടെ മികച്ച സാധ്യത ചൈനയിൽ പ്രയോഗിക്കാൻ കഴിയും ഫ്ലെക്സിബിൾ ഡിസി ട്രാൻസ്മിഷൻ സിസ്റ്റം, ഇത് അതിവേഗ ഇലക്ട്രിക് ട്രെയിനിന് ശേഷം ചൈന പവർ ഇലക്ട്രോണിക്സ് വ്യവസായത്തിന്റെ മറ്റൊരു ലോകോത്തര മൈൽ കല്ലായി മാറും.
സാധാരണ മോഡിന്റെ ഹ്രസ്വ ആമുഖം:
1. മോഡ്: പ്രസ്സ്-പാക്ക് IGBT CSG07E1700
●പാക്കേജിംഗിനും അമർത്തിയും ശേഷം ഇലക്ട്രിക്കൽ സവിശേഷതകൾ
● വിപരീതംസമാന്തരമായിബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നുഫാസ്റ്റ് റിക്കവറി ഡയോഡ്നിഗമനത്തിലെത്തി
● പരാമീറ്റർ:
റേറ്റുചെയ്ത മൂല്യം (25℃)
എ.കളക്ടർ എമിറ്റർ വോൾട്ടേജ്: VGES=1700 (V)
ബി.ഗേറ്റ് എമിറ്റർ വോൾട്ടേജ്: VCES=±20 (V)
സി.കളക്ടർ കറന്റ്: IC=800 (A）ICP=1600A)
ഡി.കളക്ടർ പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ: PC=4440 (W)
ഇ.പ്രവർത്തന ജംഗ്ഷൻ താപനില: Tj=-20~125℃
എഫ്.സംഭരണ താപനില: Tstg=-40~125℃
ശ്രദ്ധിക്കുക: റേറ്റുചെയ്ത മൂല്യത്തിന് അപ്പുറത്താണെങ്കിൽ ഉപകരണം കേടാകും
ഇലക്ട്രിക്കൽCharacteristics, TC＝125℃,Rth (ന്റെ താപ പ്രതിരോധംവരെ ജംഗ്ഷൻകേസ്)ഉൾപ്പെടുത്തിയിട്ടില്ല
എ.ഗേറ്റ് ലീക്കേജ് കറന്റ്: IGES=±5 (μA)
ബി.കളക്ടർ എമിറ്റർ തടയുന്ന നിലവിലെ ICES=250 (mA)
സി.കളക്ടർ എമിറ്റർ സാച്ചുറേഷൻ വോൾട്ടേജ്: VCE(sat)=6(V)
ഡി.ഗേറ്റ് എമിറ്റർ ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്: VGE(th)=10(V)
ഇ.സമയം ഓണാക്കുക: ടൺ=2.5μs
എഫ്.സമയം ഓഫാക്കുക: ടോഫ്=3μs
2. മോഡ്: പ്രസ്-പാക്ക് IGBT CSG10F2500
●പാക്കേജിംഗിനും അമർത്തിയും ശേഷം ഇലക്ട്രിക്കൽ സവിശേഷതകൾ
● വിപരീതംസമാന്തരമായിബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നുഫാസ്റ്റ് റിക്കവറി ഡയോഡ്നിഗമനത്തിലെത്തി
● പരാമീറ്റർ:
റേറ്റുചെയ്ത മൂല്യം (25℃)
എ.കളക്ടർ എമിറ്റർ വോൾട്ടേജ്: VGES=2500 (V)
ബി.ഗേറ്റ് എമിറ്റർ വോൾട്ടേജ്: VCES=±20 (V)
സി.കളക്ടർ കറന്റ്: IC=600 (A）ICP=2000A)
ഡി.കളക്ടർ പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ: PC=4800 (W)
ഇ.പ്രവർത്തന ജംഗ്ഷൻ താപനില: Tj=-40~125℃
എഫ്.സംഭരണ താപനില: Tstg=-40~125℃
ശ്രദ്ധിക്കുക: റേറ്റുചെയ്ത മൂല്യത്തിന് അപ്പുറത്താണെങ്കിൽ ഉപകരണം കേടാകും
ഇലക്ട്രിക്കൽCharacteristics, TC＝125℃,Rth (ന്റെ താപ പ്രതിരോധംവരെ ജംഗ്ഷൻകേസ്)ഉൾപ്പെടുത്തിയിട്ടില്ല
എ.ഗേറ്റ് ലീക്കേജ് കറന്റ്: IGES=±15(μA)
ബി.കളക്ടർ എമിറ്റർ തടയുന്ന നിലവിലെ ICES=25 (mA)
സി.കളക്ടർ എമിറ്റർ സാച്ചുറേഷൻ വോൾട്ടേജ്: VCE(sat)=3.2 (V)
ഡി.ഗേറ്റ് എമിറ്റർ ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്: VGE(th)=6.3(V)
ഇ.സമയം ഓണാക്കുക: ടൺ=3.2μs
എഫ്.ഓഫാക്കുന്ന സമയം: ടോഫ്=9.8μs
ജി.ഡയോഡ് ഫോർവേഡ് വോൾട്ടേജ്: VF=3.2 V
എച്ച്.ഡയോഡ് റിവേഴ്സ് റിക്കവറി സമയം: Trr=1.0 μs
3. മോഡ്: പ്രസ്-പാക്ക് IGBT CSG10F4500
●പാക്കേജിംഗിനും അമർത്തിയും ശേഷം ഇലക്ട്രിക്കൽ സവിശേഷതകൾ
● വിപരീതംസമാന്തരമായിബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നുഫാസ്റ്റ് റിക്കവറി ഡയോഡ്നിഗമനത്തിലെത്തി
● പരാമീറ്റർ:
റേറ്റുചെയ്ത മൂല്യം (25℃)
എ.കളക്ടർ എമിറ്റർ വോൾട്ടേജ്: VGES=4500 (V)
ബി.ഗേറ്റ് എമിറ്റർ വോൾട്ടേജ്: VCES=±20 (V)
സി.കളക്ടർ കറന്റ്: IC=600 (A）ICP=2000A)
ഡി.കളക്ടർ പവർ ഡിസ്‌സിപ്പേഷൻ: PC=7700 (W)
ഇ.പ്രവർത്തന ജംഗ്ഷൻ താപനില: Tj=-40~125℃
എഫ്.സംഭരണ താപനില: Tstg=-40~125℃
ശ്രദ്ധിക്കുക: റേറ്റുചെയ്ത മൂല്യത്തിന് അപ്പുറത്താണെങ്കിൽ ഉപകരണം കേടാകും
ഇലക്ട്രിക്കൽCharacteristics, TC＝125℃,Rth (ന്റെ താപ പ്രതിരോധംവരെ ജംഗ്ഷൻകേസ്)ഉൾപ്പെടുത്തിയിട്ടില്ല
എ.ഗേറ്റ് ലീക്കേജ് കറന്റ്: IGES=±15(μA)
ബി.കളക്ടർ എമിറ്റർ തടയുന്ന നിലവിലെ ICES=50 (mA)
സി.കളക്ടർ എമിറ്റർ സാച്ചുറേഷൻ വോൾട്ടേജ്: VCE(sat)=3.9 (V)
ഡി.ഗേറ്റ് എമിറ്റർ ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്: VGE(th)=5.2 (V)
ഇ.സമയം ഓണാക്കുക: ടൺ=5.5μs
എഫ്.ഓഫാക്കുന്ന സമയം: ടോഫ്=5.5μs
ജി.ഡയോഡ് ഫോർവേഡ് വോൾട്ടേജ്: VF=3.8 V
എച്ച്.ഡയോഡ് റിവേഴ്സ് റിക്കവറി സമയം: Trr=2.0 μs
കുറിപ്പ്:ദീർഘകാലാടിസ്ഥാനത്തിലുള്ള ഉയർന്ന മെക്കാനിക്കൽ വിശ്വാസ്യത, കേടുപാടുകൾക്കുള്ള ഉയർന്ന പ്രതിരോധം, പ്രസ് കണക്ട് ഘടനയുടെ സവിശേഷതകൾ എന്നിവയിൽ പ്രസ്-പാക്ക് IGBT പ്രയോജനകരമാണ്, സീരീസ് ഉപകരണത്തിൽ ഉപയോഗിക്കാൻ സൗകര്യപ്രദമാണ്, പരമ്പരാഗത GTO തൈറിസ്റ്ററുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, IGBT വോൾട്ടേജ് ഡ്രൈവ് രീതിയാണ്. .അതിനാൽ, ഇത് പ്രവർത്തിക്കാൻ എളുപ്പമാണ്, സുരക്ഷിതവും വിശാലമായ പ്രവർത്തന ശ്രേണിയും.