ഫേസ് കൺട്രോൾ തൈറിസ്റ്റർ (അലോയിംഗ് തരം)

വിവരണം:

മൂന്ന് പിഎൻ ഘടനകൾ അടങ്ങുന്ന ഉയർന്ന പവർ അർദ്ധചാലക ഉപകരണമാണ് സിലിക്കൺ കൺട്രോൾ റക്റ്റിഫയർ (SCR) എന്നും അറിയപ്പെടുന്ന തൈറിസ്റ്റർ.പ്രകടനത്തിന്റെ കാര്യത്തിൽ, തൈറിസ്റ്ററിന് ഏകപക്ഷീയമായ ചാലകത മാത്രമല്ല, സിലിക്കൺ റക്റ്റിഫയർ മൂലകത്തേക്കാൾ വിലയേറിയ നിയന്ത്രണവുമുണ്ട്, ഇത് രണ്ട് ചാലകവും ഓഫ്-സ്റ്റേറ്റും മാത്രം, ചെറിയ പവർ ഉപയോഗിച്ച് വലിയ പവർ നിയന്ത്രിക്കാൻ, നൂറുകണക്കിന് അല്ലെങ്കിൽ പവർ ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ ആയിരക്കണക്കിന് തവണ.പ്രതികരണം വളരെ വേഗത്തിലാണ്, മൈക്രോ സെക്കൻഡിൽ ഓണും ഓഫും.നോൺ-കോൺടാക്റ്റ് ഓപ്പറേഷൻ, സ്പാർക്കുകൾ ഇല്ല, ശബ്ദമില്ല, അതേസമയം ഉയർന്ന കാര്യക്ഷമതയും കുറഞ്ഞ ചെലവും.അതിനാൽ, പ്രത്യേകിച്ച് ഉയർന്ന പവർ സപ്ലൈ സിസ്റ്റത്തിൽ, റക്റ്റിഫയർ സർക്യൂട്ട്, സ്റ്റാറ്റിക് ബൈപാസ് സ്വിച്ച്, കോൺടാക്റ്റ്-ഫ്രീ ഔട്ട്പുട്ട് സ്വിച്ച്, മറ്റ് സർക്യൂട്ടുകൾ എന്നിവയിൽ thyristor വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

1980-കൾ മുതൽ യു.എസ്.എ.യിൽ നിന്നാണ് റുനൗ ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സിന്റെ തൈറിസ്റ്റർ മാനുഫാക്ചറിംഗ് സ്റ്റാൻഡേർഡും പ്രോസസ്സിംഗ് ടെക്‌നോളജിയും അവതരിപ്പിച്ചത്.പരമ്പരാഗത ഉൽപ്പാദന പ്രക്രിയയുടെ അടിസ്ഥാനത്തിൽ, RUNAU ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സിലെ ടാലന്റ് ടെക്‌നീഷ്യൻമാർ യൂറോപ്യൻ ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ ഗുണപരമായ സവിശേഷതകളോടെ തൈറിസ്റ്റർ നിർമ്മിക്കുന്നതിനുള്ള ആർട്ട്-ഓഫ്-സ്റ്റേറ്റ് സാങ്കേതികവിദ്യ വികസിപ്പിച്ചെടുത്തിട്ടുണ്ട്, ഗുണനിലവാരവും പ്രകടനവും വളരെയധികം മെച്ചപ്പെട്ടു, പവർ ഇലക്ട്രോണിക്‌സിന്റെ പ്രയോഗത്തിൽ കൂടുതൽ വലിയ നേട്ടങ്ങൾ കൈവരിച്ചു. ഫീൽഡുകൾ, പങ്കാളികൾക്കായി കൂടുതൽ മൂല്യം സൃഷ്ടിച്ചു.

ആമുഖം:

1. ചിപ്പ്

RUNAU ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് നിർമ്മിക്കുന്ന തൈറിസ്റ്റർ ചിപ്പ് സിന്റർഡ് അലോയിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യയാണ് ഉപയോഗിക്കുന്നത്.ഉയർന്ന ശൂന്യതയിലും ഉയർന്ന താപനിലയിലും ശുദ്ധമായ അലുമിനിയം (99.999%) അലോയ് ചെയ്യുന്നതിനായി സിലിക്കണും മോളിബ്ഡിനം വേഫറും സിന്റർ ചെയ്തു.തൈറിസ്റ്ററിന്റെ ഗുണനിലവാരത്തെ ബാധിക്കുന്ന പ്രധാന ഘടകമാണ് സിന്ററിംഗ് സ്വഭാവസവിശേഷതകളുടെ ഭരണം.അലോയ് ജംഗ്ഷൻ ഡെപ്ത്, ഉപരിതല പരന്നത, അലോയ് കാവിറ്റി, ഫുൾ ഡിഫ്യൂഷൻ വൈദഗ്ധ്യം, സെന്റർ ഗേറ്റ്, റിംഗ് സർക്കിൾ പാറ്റേൺ എന്നിവ നിയന്ത്രിക്കുന്നതിന് പുറമേ, തൈറിസ്റ്ററിന്റെ വിശ്വസനീയവും ഉയർന്ന കാര്യക്ഷമവുമായ ചാലക പ്രവർത്തനം സാധ്യമാക്കുന്നതിന് RUNAU ഇലക്ട്രോണിക്സിന്റെ അറിവ് പ്രയോഗിച്ചു. ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള പ്രകടനം ഉറപ്പാക്കുക.

2. എൻക്യാപ്സുലേഷൻ

മോളിബ്ഡിനം വേഫറിന്റെയും ബാഹ്യ പാക്കേജിന്റെയും പരന്നതും സമാന്തരത്വവും കർശനമായി നിയന്ത്രിക്കുന്നതിലൂടെ, ചിപ്പും മോളിബ്ഡിനം വേഫറും ബാഹ്യ പാക്കേജുമായി കർശനമായും പൂർണ്ണമായും സംയോജിപ്പിക്കും.ഇത് സർജ് കറന്റിന്റെയും ഉയർന്ന ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് കറന്റിന്റെയും പ്രതിരോധം ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യും.ഇലക്ട്രോൺ ബാഷ്പീകരണ സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ അളവ് സിലിക്കൺ വേഫർ ഉപരിതലത്തിൽ കട്ടിയുള്ള അലുമിനിയം ഫിലിം സൃഷ്ടിക്കാൻ ഉപയോഗിച്ചു, കൂടാതെ മോളിബ്ഡിനം പ്രതലത്തിൽ പൂശിയ റുഥേനിയം പാളി താപ ക്ഷീണ പ്രതിരോധം വർദ്ധിപ്പിക്കും, തൈറിസ്റ്ററിന്റെ പ്രവർത്തന ആയുസ്സ് ഗണ്യമായി വർദ്ധിക്കും.

സാങ്കേതിക സ്പെസിഫിക്കേഷൻ

1. RUNAU ഇലക്ട്രോണിക്സ് നിർമ്മിച്ച അലോയ് ടൈപ്പ് ചിപ്പ് ഉള്ള ഘട്ടം നിയന്ത്രിത തൈറിസ്റ്റർ, ശ്രേണി I_{ടി.എ.വി}300A മുതൽ 6000A വരെയും വി_{ഡി.ആർ.എം}/V_RRM800V മുതൽ 4400V വരെ.
2. I_GT, വി_GTഒപ്പം ഐ_Hടെസ്റ്റ് മൂല്യങ്ങൾ 25℃ ആണ്, മറ്റുവിധത്തിൽ പറഞ്ഞിട്ടില്ലെങ്കിൽ, മറ്റെല്ലാ പാരാമീറ്ററുകളും T-ന് കീഴിലുള്ള ടെസ്റ്റ് മൂല്യങ്ങളാണ്_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave current base width.50Hz-ൽ, ഐ²t=0.005I²എഫ്എസ്എം(എ²എസ്);
4. 60Hz-ൽ: I_{എഫ്എസ്എം}(8.3മി.സെ.)=ഐ_{എഫ്എസ്എം}(10മി.സെ.)×1.066,ടി_j=T_j;ഐ²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

പരാമീറ്റർ: